一文读懂存储行业近期疯涨的原因

marsbit發佈於 2026-05-11更新於 2026-05-11

文章摘要

本文分析了存储行业近期价格飙涨的深层结构性原因。文章指出,存储行业主要由DRAM、NAND和HBM三类产品构成,长期被视为强周期性行业,其价格波动主要由库存和供需错配驱动。 然而,人工智能(AI)的兴起彻底改变了这一模式。AI数据中心对高带宽内存(HBM)产生了持续性、高增长的刚性需求,且需求与模型规模线性甚至超线性增长。这导致三星、SK海力士和美光等主要厂商将晶圆产能优先分配给利润更高的HBM,从而结构性挤出了传统DRAM和NAND的供给,造成“非需求驱动型短缺”。 市场结构因此发生根本转变:从“现货市场”转向“合同配额制”。大客户通过长期合同锁定未来供给,导致现货流动性减少、交付周期大幅延长(部分超过一年),价格形成正反馈循环。定价权从市场转移到合同结构。 主要的受益方包括:掌握HBM先进产能的存储制造商(如SK海力士)、通过长期合同锁定成本的大型云服务商,以及依赖融资换取算力资源的AI模型公司。 文章最后指出,这一“超级周期”的持续性取决于三个条件:AI资本支出持续增长、HBM技术路径不被替代,以及产能扩张速度不超前于需求。若这些条件被打破,当前的高价结构可能发生逆转。

作者:hoidya|0xU

1/ 存储行业到底是什么

存储行业主要由三类核心产品构成:DRAM、NAND与HBM。它们共同构成所有数字设备的数据记忆系统。无论是手机、电脑还是数据中心,都必须依赖这一层基础设施来完成数据的临时处理与长期保存。

从功能上看,DRAM用于运行中的临时数据存储,承担计算过程中的高速读写需求。NAND用于长期数据存储,类似设备的持久化记忆层。HBM则是在高性能计算环境中演进出的新形态,用于解决GPU与计算单元之间的带宽瓶颈问题。

如果从系统结构理解,存储行业并不是独立于计算系统之外的组件,而是所有计算系统的基础依赖层。任何计算任务都必须先“读取数据”,再进行“计算”,最后“写回结果”。因此存储是计算过程中的基础约束条件之一,而不是可选模块。

在过去二十年,这一行业的需求主要来自三个来源:消费电子(手机与PC)、企业服务器以及互联网基础设施。这些需求共同的特点是分散性强,更新周期可延迟,且单点需求规模有限。因此市场长期将其归类为典型的周期性半导体行业。

2/ 为什么存储长期被视为周期行业

存储行业之所以长期呈现强周期性,本质上来自供需结构的不对称性。需求端通常与消费电子周期和企业IT支出周期相关,而供给端则由晶圆厂投资驱动,存在明显的时间滞后。

当需求上行时,价格快速上涨,推动厂商扩产。但由于产能建设周期通常在12至24个月之间,新增供给往往在需求拐点之后集中释放,从而导致价格快速回落。这一机制形成了典型的boom-bust cycle。

在2010年至2022年期间,这种周期结构表现得尤为明显。例如DRAM行业在多个周期中都经历了从高毛利状态快速下滑至亏损,再到新一轮需求恢复后的反弹过程。这种波动使得市场长期将存储行业视为“高波动、低可预测性”的周期性资产类别。

在这一阶段,行业的定价机制本质上是库存驱动的。当库存下降时价格上升,当库存积累时价格下跌,而需求本身更多扮演触发变量,而不是结构性变量。

3/ AI之前,需求结构是怎样的

在人工智能出现之前,存储需求主要由消费电子与传统互联网基础设施驱动。消费电子的特点是更新周期长,需求相对可预测,例如智能手机的换机周期通常为两到三年。服务器与企业存储则更多依赖IT资本开支节奏,同样具有较强周期性。

在这一结构中,存储作为标准化产品,其价格主要由供需关系决定,而非单一大客户的长期锁定需求。因此市场具备高度的现货属性,价格信号能够快速反映库存变化与产能调整。

换句话说,在AI之前,存储行业的需求结构是分散的,且缺乏长期刚性约束。这也是其周期性特征得以成立的核心基础。

4/ 为什么AI彻底改变了存储需求结构?(从周期品到基础设施)

过去存储需求由消费电子驱动(手机、PC),本质是“可延迟消费”。但AI带来的是完全不同的需求函数:它是持续性计算系统,且memory usage与模型规模线性甚至超线性增长。

以AI数据中心为例,训练与推理过程中GPU不是计算瓶颈,而是memory bandwidth瓶颈,这直接推动HBM成为刚性需求。行业数据显示,AI服务器对高带宽内存的需求正在以远超传统DRAM的速度增长,并导致HBM产能被长期锁定,甚至出现2026年前全部预售的情况 。

更关键的是供给侧变化:由于HBM利润率显著高于传统DRAM,厂商主动进行产能再分配,将晶圆从DDR4/DDR5转向HBM生产。这种结构性挤出效应导致传统DRAM与NAND出现“非需求驱动型短缺”。

市场已经出现极端信号:部分DRAM与NAND现货价格在季度内上涨15–20%,并出现“日内价格调整”现象 。

5/ 过去存储是怎么定价的?

在2010–2022年之间,存储行业的定价机制高度典型,是一个标准的半导体周期模型:

价格由库存周期驱动,而不是需求结构驱动。

当库存下降 → 价格上涨 → 厂商扩产 → 供给过剩 → 价格崩塌。

这一机制的核心约束是“产能建设滞后性(1–2年)+ 需求可延迟性

例如在上一轮周期中,DRAM行业经常出现季度级别的利润大幅波动,甚至从高毛利转为亏损,再快速反转。

但这一机制在AI时代被破坏,原因是两个变量同时改变:

  • 第一,需求从分散消费变为集中采购
  • 第二,供给从“自由市场扩产”变为“利润优先配置(HBM优先)”

结果是:周期波动仍存在,但价格弹性被结构性压缩。

6/ 现在发生了什么结构变化?

当前(2024–2026)存储市场的核心变化不是价格上涨,而是市场结构从“spot market”转向“contract allocation system”。

首先是HBM的挤出效应。由于HBM单位晶圆利润显著高于DDR4/DDR5,三星、SK hynix、Micron均优先将产能转向HBM生产。行业数据显示,HBM正在从低个位数占比迅速上升至DRAM收入的40%+结构性水平 。

这一结构调整导致两个结果:

  • 第一,传统DRAM供给收缩
  • 第二,NAND进入被动紧缺状态

与此同时,市场进入极端供需状态:DRAM行业收入在2025年Q2同比增长17.1%,但增长来源不是需求爆发,而是价格上涨与供应约束共同驱动 。

更极端的信号来自交付端:行业lead time已经从正常的8–12周延长至39–52周,部分汽车级memory甚至超过70周 。

这意味着一个关键结构变化:memory不再是“可即时交易商品”,而变成“配给型资源”

这会形成一个正反馈循环:

价格上涨 → 厂商减少spot供给 → 买方提前锁单 → 进一步减少现货流动性 → 价格继续上升。

7/ 谁在这个结构里获益?

存储产业的利润结构正在发生明显迁移。

第一层:供给侧(Samsung / SK hynix / Micron)

这些公司正在从“周期性制造商”转变为“AI基础设施供应商”。其中SK hynix在HBM上的领先地位使其逐渐成为结构性定价权拥有者,其DRAM市场份额已提升至约38% 。

第二层:需求侧(Microsoft / AWS / Google)

这些公司通过长期合同锁定未来供给,本质是在进行“时间套利”:用当前资本支出锁定未来AI算力与memory成本。

第三层:AI模型公司(OpenAI等)

它们处于现金流压力与算力需求之间,通过融资 → capex → 再锁供给形成闭环。

关键变化在于:pricing power 正在从“市场”转移到“合同结构”

8/ 风险与证伪条件

这一轮“AI memory supercycle”至少有三个明确的证伪条件:

第一,如果AI capex进入收缩周期(hyperscaler降低投资强度),当前需求结构会迅速失真,因为memory需求高度依赖AI compute expansion。

第二,如果HBM技术路径被替代(例如新型内存架构或compute-memory fusion),当前HBM溢价将被压缩,导致产能重新回流DRAM/NAND。

第三,如果产能扩张周期重新加速(三星 / SK hynix重新进入激进扩产),则当前供给约束会在1–2年后反转为过剩周期。

换句话说,这一结构成立的前提是:

AI需求增长速度 > 产能扩张速度 + 技术替代速度

相關問答

Q存储行业的三大核心产品是什么,它们分别承担什么功能?

A存储行业的三大核心产品是DRAM、NAND和HBM。DRAM用于设备运行中的临时数据存储,承担计算过程中的高速读写需求;NAND用于长期数据存储,类似于设备的持久化记忆层;HBM则是在高性能计算环境中演进出的新形态,主要用于解决GPU与计算单元之间的带宽瓶颈问题。

Q在人工智能(AI)出现之前,存储行业的需求主要来自哪些领域?这些需求有什么特点?

A在AI出现之前,存储需求主要来自消费电子(如手机与PC)、企业服务器以及互联网基础设施。这些需求的特点是分散性强,更新周期可延迟,且单点需求规模有限。这使得市场长期将存储行业视为典型的周期性半导体行业。

QAI是如何从根本上改变存储需求结构的,使其从周期品变为基础设施?

AAI带来的是持续性计算系统需求,其内存使用量与模型规模呈线性甚至超线性增长。AI训练与推理过程中,GPU的计算瓶颈往往转变为内存带宽瓶颈,这直接推动HBM成为刚性需求。AI服务器的需求正在以远超传统DRAM的速度增长,导致HBM产能被长期锁定。同时,由于HBM利润率更高,厂商将晶圆产能从传统DDR4/DDR5转向HBM生产,这种结构性挤出效应导致了传统DRAM与NAND出现‘非需求驱动型短缺’,使存储从可延迟的消费品转变为不可或缺的、具有刚性约束的基础设施。

Q当前(2024-2026年)存储市场正在发生什么核心的结构性变化?

A当前存储市场的核心变化是从‘现货市场’转向‘合同分配系统’。由于HBM利润更高,主要厂商优先将产能转向HBM生产,这导致传统DRAM供给收缩和NAND进入被动紧缺状态。市场交付周期大幅延长,部分产品甚至超过70周。因此,内存不再是‘可即时交易商品’,而变成了‘配给型资源’,形成了一个价格上涨、厂商减少现货供给、买方提前锁单、现货流动性进一步减少的正反馈循环。

Q文章中提到,这轮‘AI存储超级周期’有哪些可能的证伪条件?

A主要有三个证伪条件:1. 如果AI资本支出进入收缩周期(超大规模云服务商降低投资强度),当前高度依赖AI计算扩张的内存需求结构会迅速失真。2. 如果HBM技术路径被替代(例如出现新型内存架构或计算-内存融合技术),当前HBM的高溢价将被压缩,导致产能重新回流到传统DRAM和NAND。3. 如果主要存储厂商重新进入激进的产能扩张周期,当前的供给约束可能在1-2年后反转为产能过剩周期。该结构成立的前提是AI需求增长速度需持续大于产能扩张速度与技术替代速度之和。

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